半(ban)導體二(er)極(ji)(ji)管(guan)主要是依靠PN結(jie)而(er)工作(zuo)的(de)。與PN結(jie)不可分割(ge)的(de)點(dian)接觸(chu)型和肖特(te)基型，也被(bei)列入一般的(de)二(er)極(ji)(ji)管(guan)的(de)范圍內。包(bao)括(kuo)這兩種型號在內，根據PN結(jie)構造(zao)面的(de)特(te)點(dian)，把(ba)晶體二(er)極(ji)(ji)管(guan)分類如下：

　　點接觸型

　　點接觸型(xing)二(er)極管是(shi)在鍺或硅(gui)材料的單晶片上壓觸一根(gen)金屬針(zhen)后，再通(tong)過電流(liu)法而形成的。因此，其PN結(jie)的靜電容(rong)量小(xiao)，適用于(yu)高(gao)頻電路。但是(shi)，與面結(jie)型(xing)相比較，點接觸型(xing)二(er)極管正向特(te)性和(he)反向特(te)性都差，因此，不能使用于(yu)大電流(liu)和(he)整(zheng)流(liu)。因為構造(zao)簡單，所以價格(ge)便宜。

　　面接觸型

　　面接觸型或(huo)稱面積(ji)型二極管的PN結(jie)是用合(he)金法或(huo)擴(kuo)散法做成的，由于這種二極管的PN結(jie)面積(ji)大(da)，可(ke)承受較(jiao)大(da)電流(liu)，但極間電容也大(da)。這類器件適用于整(zheng)流(liu)，而不宜(yi)用于高頻(pin)率電路中。

　　鍵型

　　鍵(jian)型(xing)(xing)(xing)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)是在鍺或硅(gui)的單晶片上熔金或銀的細絲而(er)形成(cheng)的。其特(te)性(xing)介于點接觸(chu)型(xing)(xing)(xing)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)和合金型(xing)(xing)(xing)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)之間。與點接觸(chu)型(xing)(xing)(xing)相比較，雖然鍵(jian)型(xing)(xing)(xing)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的PN結電(dian)(dian)容(rong)量稍有(you)增(zeng)加，但正向特(te)性(xing)特(te)別優良。多作開關用(yong)，有(you)時(shi)也被應用(yong)于檢波和電(dian)(dian)源整流（不(bu)大于50mA）。在鍵(jian)型(xing)(xing)(xing)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)中，熔接金絲的二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)有(you)時(shi)被稱金鍵(jian)型(xing)(xing)(xing)，熔接銀絲的二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)有(you)時(shi)被稱為銀鍵(jian)型(xing)(xing)(xing)。

　　合金型

　　在N型鍺或(huo)硅的單晶片上，通(tong)過加(jia)入合金(jin)銦、鋁(lv)等(deng)金(jin)屬(shu)的方法(fa)制作(zuo)PN結而形成的。正向電(dian)壓降(jiang)小，適于大電(dian)流(liu)整流(liu)。因其PN結反向時靜電(dian)容量(liang)大，所以不適于高頻(pin)檢波(bo)和(he)高頻(pin)整流(liu)。

　　擴散型

　　在高溫的(de)P型(xing)(xing)雜質(zhi)氣體中，加熱(re)N型(xing)(xing)鍺或硅的(de)單(dan)晶片，使(shi)單(dan)晶片表面(mian)的(de)一部變成(cheng)P型(xing)(xing)，以此(ci)法PN結。因(yin)PN結正(zheng)向電壓降(jiang)小，適用于大電流(liu)整流(liu)。最 近，使(shi)用大電流(liu)整流(liu)器的(de)主流(liu)已(yi)由硅合金型(xing)(xing)轉移到硅擴散型(xing)(xing)。

　　臺面型

　　PN結的(de)(de)(de)制作方法雖然(ran)與(yu)擴散型相同，但是，只保留PN結及其(qi)必要的(de)(de)(de)部(bu)分，把不(bu)必要的(de)(de)(de)部(bu)分用藥品(pin)腐蝕掉。其(qi)剩余的(de)(de)(de)部(bu)分便呈現出臺(tai)面(mian)形，因而(er)得(de)名。初期生產(chan)的(de)(de)(de)臺(tai)面(mian)型，是對半導(dao)體材料(liao)使(shi)用擴散法而(er)制成(cheng)的(de)(de)(de)。因此(ci)，又把這(zhe)種(zhong)臺(tai)面(mian)型稱為擴散臺(tai)面(mian)型。對于這(zhe)一類型來說，似乎大電(dian)流(liu)整流(liu)用的(de)(de)(de)產(chan)品(pin)型號很少，而(er)小電(dian)流(liu)開關用的(de)(de)(de)產(chan)品(pin)型號卻很多。

　　平面型

　　在半(ban)導(dao)體(ti)單晶(jing)片（主要地(di)是(shi)N型硅單晶(jing)片）上(shang)，擴散(san)(san)P型雜質，利用(yong)(yong)硅片表面(mian)(mian)氧(yang)化(hua)膜(mo)的(de)(de)屏蔽作(zuo)(zuo)用(yong)(yong)，在N型硅單晶(jing)片上(shang)僅(jin)選擇性地(di)擴散(san)(san)一部分而形成的(de)(de)PN結(jie)。因此，不需(xu)要為調整PN結(jie)面(mian)(mian)積(ji)的(de)(de)藥品腐(fu)蝕作(zuo)(zuo)用(yong)(yong)。由于半(ban)導(dao)體(ti)表面(mian)(mian)被(bei)制作(zuo)(zuo)得平(ping)整，故而得名。并且(qie)，PN結(jie)合的(de)(de)表面(mian)(mian)，因被(bei)氧(yang)化(hua)膜(mo)覆蓋(gai)，所以公認(ren)為是(shi)穩定性好和壽命長的(de)(de)類型。最初(chu)，對于被(bei)使用(yong)(yong)的(de)(de)半(ban)導(dao)體(ti)材料是(shi)采(cai)用(yong)(yong)外延法形成的(de)(de)，故又把平(ping)面(mian)(mian)型稱為外延平(ping)面(mian)(mian)型。對平(ping)面(mian)(mian)型二極管而言，似乎使用(yong)(yong)于大電(dian)流(liu)(liu)整流(liu)(liu)用(yong)(yong)的(de)(de)型號(hao)很少，而作(zuo)(zuo)小電(dian)流(liu)(liu)開關用(yong)(yong)的(de)(de)型號(hao)則很多(duo)。

合金擴散型

　　它是(shi)合(he)金(jin)(jin)型的(de)(de)(de)一種。合(he)金(jin)(jin)材(cai)料是(shi)容易被擴散的(de)(de)(de)材(cai)料。把(ba)難以(yi)制作的(de)(de)(de)材(cai)料通(tong)過(guo)巧妙地摻配雜質(zhi)(zhi)，就能與合(he)金(jin)(jin)一起過(guo)擴散，以(yi)便在已經形成的(de)(de)(de)PN結中獲得雜質(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)恰當的(de)(de)(de)濃度(du)分布(bu)。此法適用于制造高靈敏(min)度(du)的(de)(de)(de)變容二極(ji)管。

　　外延型

　　用(yong)外(wai)延面長的過(guo)程制(zhi)造PN結(jie)而形(xing)成(cheng)的二極(ji)(ji)管(guan)。制(zhi)造時需要非常高超的技(ji)術。因能隨意地控制(zhi)雜質的不(bu)同濃度的分(fen)布，故適(shi)宜于制(zhi)造高靈敏度的變容(rong)二極(ji)(ji)管(guan)。

　　肖特基

　　基(ji)本原(yuan)理是：在金屬(shu)（例如鉛）和(he)半導體（N型硅(gui)片）的(de)接觸面上，用已(yi)形(xing)成的(de)肖特(te)基(ji)來(lai)阻擋反(fan)向電(dian)(dian)壓(ya)(ya)。肖特(te)基(ji)與PN結的(de)整流作(zuo)用原(yuan)理有根(gen)本性的(de)差(cha)異。其耐壓(ya)(ya)程度只有40V左右(you)。其特(te)長是：開關速度非常快：反(fan)向恢復(fu)時間trr特(te)別地(di)短。因(yin)此，能制作(zuo)開關二(er)極管(guan)(guan)和(he)低壓(ya)(ya)大電(dian)(dian)流整流二(er)極管(guan)(guan)。